V-DATA 威刚 万紫千红 DDR2 800 1GB 台式机内存

「威刚科技」领先全球同业推出：达成DDR2 极致速度－ 800MHz 与通过ATI Radeon Xpress200 QVL的「第一名」内存！如今，此一令人惊艳不已的Vitesta DDR2-800 内存，业已轰动上市。Vitesta DDR2-800 目前的容量大小为256MB，未来将持续导入更高容量的产品。此内存之架构由：单面、8 颗32M x 8 (256Mbit) 所组成。
Vitesta 内存之规格，虽然，实行：符合JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council；美国电子工程设计发展联合协会) 800MHz 数据数据传输之标准规范；然而，「威刚科技」实验室研发人员发现：此Vitesta DDR2-800 蕴藏了极大的潜力，能激发出远高于 800MHz 的实力。
在相同工作频率之条件下：与2.5V 之DDR 相比较，DDR2 拜1.8V 低电压技术之助，能有效减少约50% 耗电。所以，这是一项「环保导向」的「绿色」产品。同时，为了实现：惊人的极致速度；「威刚科技」特别严选－低寄生负载效应的FBGA (Fine-pitch Ball Grand Array；精细球栅数组) 封装，务使Vitesta 内存模块畅快奔驰，毫无任何负担。
与DDR 相较，DDR2 凭借以下4 项关键技术，实现：高速传输与低功率 (低耗电)之特质。
四位-预先攫取
DDR2 藉由：4 倍之数据传输量，实现高速传输。同时，也是DDR 传输速率的2 倍。在此四位-预先攫取技术的架构中，「读」跟「写」将以：内部排线频率之4 倍等效频率实现。这也是为何DDR2 能达成内部总线之4 倍传输速率的原因。
内建中断电阻设计
DDR2 内部预置：主机板之阻抗匹配所需的中断电阻，能大幅衰减之前的传输讯号，移除残留反射讯号之噪声干扰，增进一清晰之逻辑准位，避免接收到一错误数据。
外部讯号校正技术
OCD 是一组输入/输出之驱动电阻，被用以调整「差动电压讯号」波形之交叉点，以便平衡上升与下降讯号之波形；可大幅提升：自内存模块到芯片组间的噪声抵抗能力。
后置CAS 与AL 技术
Posted CAS (Column Address Strobe) 是为了提高DDR2 之存取效率而设计。在 Posted CAS 中，CAS 信号 (读/写命令)能够被安插到RAS (Row Address Strobe) 信号后面的一个频率周期；这使得CAS 命令可以在：附加延迟 (Additive Latency)的后面 (0, 1, 2, 3, 4) 个周期，仍然保持有效且可以被执行。这可简化控制电路的设计，避免总线上的冲突，并且提升效率，同时简化执行命令的顺序；更重要的是：藉由移除「气泡」的方式，增加实际内存模块之频宽。