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| 本书的特色：计算机辅助练习和课后习题将使一些单调枯燥的工作变为更具挑战性的、更为实际的问题；补充读物和复习章节包含了大量的复习术语、用于测验的复习题和答案，并详细列出了可选择的/补充的阅读资料列表；设计了一些只读章节，这些章节中有关概念分析的内容很少，主要是为了在内容讲解的节奏上有所变化，为读者提供感兴趣的资料及相关信息；在每章末尾的习题信息表中，列出了习题所对应的阅读章节、难度水平及建议分值。在开始的几章中以表格形式对一些关键性公式进行了总结，并且直接使用了一些器件的测量数据及通过计算机获得的相关图形。 |
| Robert F.Pierret是美国普度大学电子与计算机工程学院的教授，1970年成为普度大学的教师并管理本科生的半导体量实验室。近年来Pierret教授在担任电子计算机工程课程委员会主席期间，对课程建设提出了一种提高总体质量的革新方法。Pierret教授还是Addison-Wesley出版的固态器件毓丛书的策划和其中四卷的作者。
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| 第一部分 半导体基础 第1章 半导体概要 1.1 半导体材料的特性 1.2 晶体结构 1.3 晶体的生长 1.4 小结 习题 第2章 载流子模型 2.1 量子化概念 2.2 半导体模型 2.3 载流子的特性 2.4 状态和载流子分布 2.5 平衡载流子浓度 2.6 小结 习题 第3章 载流子输运 3.1 漂移 3.2 扩散 3.3 复合-产生 3.4 状态方程 3.5 补充的概念 3.6 小结 习题 第4章 器件制备基础 4.1 制备过程 4.2 器件制备实例 4.3 小结 第一部分补充读物和复习 可选择的/补充的阅读资料列表 图的出处/引用的参考文献 术语复习一览表 第一部分—复习题和答案 第二部分A pn结二极管 第5章 pn结的静电特性 5.1 前言 5.2 定量的静电关系式 5.3 小结 习题 第6章 pn结二极管：I-V特性 6.1 理想二极管方程 6.2 与理想情况的偏差 6.3 一些需要特别考虑的因素 6.4 小结 习题 第7章 pn结二极管：小信号导纳 7.1 引言 7.2 反向偏置结电容 7.3 正向偏置扩散导纳 7.4 小结 习题 第8章 pn结二极管：瞬态响应 8.1 瞬态关断特性 8.2 瞬态开启特性 8.3 小结 习题 第9章 光电二极管 第二部分B BJT和其他结型器件 第10章 BJT 基础知识 第11章 BJT静态特性 第12章 BJT动态响应模型 第13章 PNPN器件 第14章 MS接触和肖特基二极管 第二部分补充读物和复习 可选择的/补充的阅读资料列表 图的出处 / 引用的参考文献 术语复习一览表 第二部分—复习题和答案 第三部分 场效应器件 第15章 场效应导言—J-FET和MESFET 第16章 MOS结构基础 第17章 MOSFET器件基础 第18章 非理想MOS 第19章 现代场效应管结构 第三部分补充读物和复习 可选择的/补充的阅读资料列表 图的出处/引用的参考文献 术语复习一览表 第三部分—复习题和答案 附录A 量子力学基础 附录B MOS半导体静电特性—精确解 附录C MOS C -V补充 附录D MOS I -V补充 附录E 符号表 附录F MATLAB程序源代码 |
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