| 本书主要论述了CMOS集成电路的基本理论和应用。主要内容包括：CMOS集成电路的工艺；CMOS模拟集成电路的基本组成单元MCOS器件；CMOS模拟集成电路中的各种电路模块：基本放大器、恒流源电路、差分放大器；集成电路的应用：包括运算放大器、开关电流技术、集成电压比较器、数／模转换与模/数转换电路以及相乘器等；最后介绍CMOS数字集成电路的相关知识。书中配备了大量的PSpice仿真分析。 本书作为CMOS模拟集成电路的教材，可供工科电子通信类本科生使用，也可供相关专业的技术人员参考。 |
| 第1章 CMOS集成电路工艺流程 1.1 前言 1.2 MOS集成电路的基本制造工艺过程 1.2.1 晶圆 1.2.2 氧化 1.2.3 扩散与离子注入 1.2.4 淀积 1.2.5 光刻与刻蚀 1.2.6 隔离技术 1.2.7 连接接触 1.3 N阱CMOS制造过程 1.3.1 3种主要的CMOS设计结构 1.3.2 N阱CMOS制作流程 1.4 BiCMOS制作工艺 思考题与习题 第2章 基本MOS器件 2.1 MOS晶体管器件 2.1.1 MOS晶体管结构与几何参数 2.1.2 MOS管的阈值电压VGS（th） 2.1.3 MOS晶体管的工作原理 2.1.4 二阶效应 2.2 MOS器件模型 2.2.1 MOS晶体管的小信号模型（Spice Level 1） 2.2.2 MOS晶体管的大信号模型（Spice Level 2） 2.2.3 MOS晶体管的（Spice Level 3）模型 2.2.4 MOS场效应管Pspice模型参数 2.3 电阻与电容 2.3.1 电阻 2.3.2 电容 2.4 短沟道效应 2.4.1 等比例缩小理论 2.4.2 短沟道效应 2.5 闩锁效应 思考题与习题 第3章 MOS集成电路 3.1 MOS单级放大电路 3.1.1 共源极放大器 3.1.2 共漏极放大器 3.1.3 共栅极放大器 3.2 MOS差分放大电路 3.2.1 MOS差分对管的直流转换特性 3.2.2 MOS差分对管的跨导 3.2.3 MOS差分对管的失调特性 |
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