| 本书在概述微电子技术（含三代半导体及大规模集成电路）的全貌和发展趋势之后。本书反映了微电子学主要研究领域里学科发展的前沿技术。 |
| 第1章 绪论 1.1 从0.5um、0.25um、0.13um到90nm、65nm、10nm——看集成电路工艺技术的突飞 1.1.1 不断缩小特征尺寸——提高芯片集成度和性价比的有效手段 1.1.2 逐步增大圆片面积——提高芯片成品率和降低成本的最佳捷径 1.1.3 探索新的发展空间 1.2 从LSI、VLSI到GLSI/SoC——看集成电路设计技术的猛进 1.2.1 集成电路产业“龙头”——LSI设计 1.2.2 设计成功的保证——先进设计工具 1.2.3 设计技术的新革命——片上系统（SoC） 1.2.4 面临超深亚微米、纳米电路的设计挑战 1.3 从Ge、Si、GaAs、InP到SiC、GaN——看第三代半导体的发展 1.3.1 半导体材料的电子能带及特性参数 1.3.2 元素半导体—Ge、Si 1.3.3 化合物半导体——GaAs、InP 1.3.4 宽带隙半导体——SIC、GaN 1.3.5 半导体材料新探索 1.4 从MEMS、NEMS到生物芯片、有机半导体——看微电子技术向其他学科拓展 1.4.1 MEMS 1.4.2 NEMS 1.4.3 生物芯片 1.4.4 有机半导体 1.5 推进微电子技术的高速发展 第2章 基本器件技术 2.1 硅器件技术 2.1.1 MOS器件技术 2.1.2 双极晶体管技术 2.1.3 功率电子器件技术 2.2 化合物器件技术 2.2.1 GaAs器件技术 2.2.2 InP基HEMT技术 2.2.3 SiGe器件技术 2.3 新型半导体器件技术 2.3.1 宽带隙半导体技术 2.3.2 量子器件技术 2.3.3 纳米电子器件技术 2.3.4 有机半导体器件技术 参考文献 第3章 设计技术 3.1 集成电路发展与设计历程 3.1.1 集成电路的发展历程 3.1.2 集成电路的分类 3.1.3 集成电路设计的要求 3.1.4 集成电路设计和制造的关系 3.1.5 集成电路设计和EDA软件的关系 3.2 硅集成电路设计技术 3.2.1 等比例缩小定律 3.2.2 集成电路设计方法学 |
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